光电二极管：光敏、光电传感器，工作于反向工作区。光大、反压大、垒势宽，漂移电流产生。无电源时，可做光微电源。电流小，使用时或需要放大等处理。</p>

LED略，可进阶为激光二极管。</p>

BJT：双极型晶体管，三极管，晶体管。PNP、NPN、CBE。画法，发射方向，由P到N。掺杂高电阻低。发射区掺杂高，集电极大，基区薄而掺杂少，结构导致其具有电流放大的作用。两个结，以NPN为例，一个是发射结，一个是集电结，两结全指向内为截止，全指向外为饱和，从上到下为放大，从下到上为倒置。掺杂越高，多子越多，扩散能力越强。除了扩散电流之外，基区内有一小部分复合电流。</p>

放大状态，发射区扩散电子穿过基区达到集电区边界，由于此时集电区反向偏置，这些电子又漂移进入集电区，产生漂移电流，当然，基区与集电区也有部分漂移电流。发射极电流等于基极电流加集电极电流，起放大作用。由结构决定的比例关系。</p>

共射极直流放大系数，是集电极电流比基极电流。</p>

共基极提现了发射极电流对集电极电流的控制作用，这个比例接近1。</p>

小加小大之积等于大。</p>

（文字描述开始乏力）</p>

（****）输入特性：集电极电压一定，基极输入电压与输入电流的关系，是由集电极电压不断改变所画出的曲线簇。当仅有发射结正偏时，和二极管类似，加入集电结反偏后，漂移能力加强，扩散能力被抑制，基极电流会减少，集电结反偏变大后，也就是进入放大区，偏置增加不会显著影响ib。ib是一道坎，越过这个坎需要自由电子，或者反偏电压吸引，前期反偏产生的电场不够强，所以ib很大但是效果不好，这时是饱和状态，后面ib会大幅下降，逐渐显现出三极管的放大能力。</p><div id='gc1' class='gcontent1'><script type='text/javascript'>try{ggauto();} catch(ex){}</script>